新型铁电信息存储器

 报告题目：新型铁电信息存储器

 报告时间：2019年12月7日

 报告地点：材料学院会议室

 报告人：胡卫进

 报告人简介：胡卫进，中国，男，1982年12月出生，2005年本科毕业于哈尔滨工业大学，2011获中国科学院金属研究所工学博士学位。2012-2017年，先后在新加坡南洋理工大学和沙特阿卜杜拉国王科技大学从事博士后研究工作。2017年12月入职中国科学院金属研究所，任副研究员；2019年03月起任研究员，担任沈阳材料科学国家研究中心“铁电薄膜与器件”研究团队负责人，从事新型铁电铁磁薄膜器件的研究。于2017年入选中国科学院“百人计划”，2019年获国家千人计划青年项目支持。

主要研究兴趣包括低维铁电、铁磁、半导体薄膜及其异质结构的外延生长和制备，研究低维铁电材料界面丰富的磁、光、电耦合效应，探索它们在现代信息存储、驱动传感等领域的应用。

近年来，以通讯作者或第一作者在Nature Communications、Advanced Functional Materials,、Nano letter等期刊发表论文多篇，在npj 2D materials and application发表二维铁电综述。迄今共发表论文39篇，他引1700余次，H因子20。目前主持一项国家自然科学基金面上项目, 担任Nature Communications, IEEE Transactions on Nanotechnology， Advanced Materials等20余种学术期刊审稿人。

 主办单位：材料工程与力学学院